Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
min. 10mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
15 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
25V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
18 Ω
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
85pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
85pF
Abmessungen
2.92 x 1.4 x 0.94mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.92mm
Höhe
0.94mm
Breite
1.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
min. 10mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
15 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
25V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
18 Ω
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
85pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
85pF
Abmessungen
2.92 x 1.4 x 0.94mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.92mm
Höhe
0.94mm
Breite
1.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.