onsemi 1000V 4A, Silicon Junction Diode, 2-Pin Case 267-05 MUR4100E
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorMontage-Typ
Through Hole
Package Type
Případ 267-05
Maximum Continuous Forward Current
4A
Peak Reverse Repetitive Voltage
1000V
Diodová konfigurace
Stud Cathode
Typ usměrňovače
Switching
Diode Type
Silicon Junction
Pinanzahl
2
Maximální pokles propustného napětí
1.85V
Number of Elements per Chip
1
Peak Reverse Recovery Time
100ns
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
70A
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
P.O.A.
1
P.O.A.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorMontage-Typ
Through Hole
Package Type
Případ 267-05
Maximum Continuous Forward Current
4A
Peak Reverse Repetitive Voltage
1000V
Diodová konfigurace
Stud Cathode
Typ usměrňovače
Switching
Diode Type
Silicon Junction
Pinanzahl
2
Maximální pokles propustného napětí
1.85V
Number of Elements per Chip
1
Peak Reverse Recovery Time
100ns
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
70A
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products