Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorPočet budičů
1
Typ vstupu
LVCMOS, MLVDS
Typ výstupu
LVCMOS, MLVDS
Rychlost přenosu dat
200Mbps
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Pinanzahl
8
Horní prahové napětí diferen. vstupu
50mV
Dolní prahové napětí diferen. vstupu
-50mV
Abmessungen
5 x 4 x 1.5mm
Höhe
1.5mm
Länge
5mm
Maximální provozní napájecí napětí
3.6 V
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Maximální pracovní teplota
85 °C
Breite
4mm
Minimální provozní napájecí napětí
4,5 V
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorPočet budičů
1
Typ vstupu
LVCMOS, MLVDS
Typ výstupu
LVCMOS, MLVDS
Rychlost přenosu dat
200Mbps
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Pinanzahl
8
Horní prahové napětí diferen. vstupu
50mV
Dolní prahové napětí diferen. vstupu
-50mV
Abmessungen
5 x 4 x 1.5mm
Höhe
1.5mm
Länge
5mm
Maximální provozní napájecí napětí
3.6 V
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Maximální pracovní teplota
85 °C
Breite
4mm
Minimální provozní napájecí napětí
4,5 V