Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
0,5 A
Kollektor-Emitter-
50 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
16
Konfigurace tranzistoru
Common Emitter
Anzahl der Elemente pro Chip
7
Minimální proudový zisk DC
1000
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1.6 V
Länge
10mm
Maximální pracovní teplota
+125 °C
Höhe
1.5mm
Breite
4mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Abmessungen
10 x 4 x 1.5mm
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
2500
P.O.A.
2500
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
0,5 A
Kollektor-Emitter-
50 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
16
Konfigurace tranzistoru
Common Emitter
Anzahl der Elemente pro Chip
7
Minimální proudový zisk DC
1000
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1.6 V
Länge
10mm
Maximální pracovní teplota
+125 °C
Höhe
1.5mm
Breite
4mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Abmessungen
10 x 4 x 1.5mm
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.