Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
IPAK (TO-251)
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4,8 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Maximální ztrátový výkon
57 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+30 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.73mm
Breite
2.38mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
7.62mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 100 V až 700 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
IPAK (TO-251)
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4,8 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Maximální ztrátový výkon
57 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+30 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.73mm
Breite
2.38mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
7.62mm
Podrobnosti o výrobku