DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

MOSFET NDD02N60Z-1G N-kanálový 2.4 A 600 V, IPAK (TO-251), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 719-2777Značka: ON SemiconductorČíslo dielu výrobcu: NDD02N60Z-1G
brand-logo
View all in MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

2.4 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

600 V

Gehäusegröße

IPAK (TO-251)

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

4,8 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4.5V

Maximální ztrátový výkon

57 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

+30 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

10 nC při 10 V

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

6.73mm

Breite

2.38mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

7.62mm

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkonový MOSFET, 100 V až 700 V, on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

MOSFET NDD02N60Z-1G N-kanálový 2.4 A 600 V, IPAK (TO-251), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

P.O.A.

MOSFET NDD02N60Z-1G N-kanálový 2.4 A 600 V, IPAK (TO-251), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

2.4 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

600 V

Gehäusegröße

IPAK (TO-251)

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

4,8 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4.5V

Maximální ztrátový výkon

57 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

+30 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

10 nC při 10 V

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

6.73mm

Breite

2.38mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

7.62mm

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkonový MOSFET, 100 V až 700 V, on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more