Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Gehäusegröße
IPAK (TO-251)
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3.3 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Maximální ztrátový výkon
58 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 10 V
Breite
2.38mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
7.62mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Gehäusegröße
IPAK (TO-251)
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3.3 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Maximální ztrátový výkon
58 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 10 V
Breite
2.38mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
7.62mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C