DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

MOSFET NDD03N60ZT4G N-kanálový 3 A 600 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 719-2796Značka: ON SemiconductorČíslo dielu výrobcu: NDD03N60ZT4G
brand-logo
View all in MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

ON Semiconductor

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

3 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

600 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

3,6 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4.5V

Maximální ztrátový výkon

78 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

+30 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

12 nC při 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Maximální pracovní teplota

150 °C

Länge

6.73mm

Breite

6.22mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

2.38mm

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

MOSFET NDD03N60ZT4G N-kanálový 3 A 600 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 5.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 5.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

5

Dostupné v násobkoch 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

MOSFET NDD03N60ZT4G N-kanálový 3 A 600 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 5.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 5.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

5

Dostupné v násobkoch 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

ON Semiconductor

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

3 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

600 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

3,6 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4.5V

Maximální ztrátový výkon

78 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

+30 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

12 nC při 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Maximální pracovní teplota

150 °C

Länge

6.73mm

Breite

6.22mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

2.38mm

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more