Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
7.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
950 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Maximální ztrátový výkon
139 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+30 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
39 nC při 10 V
Länge
10.63mm
Breite
4.9mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
16.12mm
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
7.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
950 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Maximální ztrátový výkon
139 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+30 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
39 nC při 10 V
Länge
10.63mm
Breite
4.9mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
16.12mm