DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

MOSFET NDT454P P-kanálový 5,9 A 30 V, SOT-223, počet kolíků: 3 + Tab Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 806-1252Značka: ON SemiconductorČíslo dielu výrobcu: NDT454P
brand-logo
View all in MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

5.9 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

SOT223

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3 + Tab

Maximální odpor kolektor/zdroj

90 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

3 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Maximální pracovní teplota

150 °C

Länge

6.7mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

29 nC při 10 V

Breite

3.7mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-65 °C

Höhe

1.7mm

Podrobnosti o výrobku

Rozšiřující režim, MOSFET P-Channel, ON on Semiconductor

Společnost ON Semiconductors řady P-Channel MOSFETS vyrábí s využitím technologie DMOS (polovlastní technologie), s vysokou hustotou buněk. Tento proces s velmi vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu a poskytoval robustní a spolehlivý výkon pro rychlé přepínání.

Charakteristiky a výhody:

• Malý signální spínač s kanálem P ovládaný napětím
• TCS s vysokou hustotou
• Vysoký sytost proudu
• vynikající přepínání
• Velmi odolný a spolehlivý výkon
• Technologie DMOS

Aplikace:

• Přepínání zatížení
• DC/DC převodník
• Ochrana baterií
• Ovládání řízení spotřeby
• Ovládání motoru stejnosměrným proudem

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

MOSFET NDT454P P-kanálový 5,9 A 30 V, SOT-223, počet kolíků: 3 + Tab Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

P.O.A.

MOSFET NDT454P P-kanálový 5,9 A 30 V, SOT-223, počet kolíků: 3 + Tab Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

5.9 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

SOT223

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3 + Tab

Maximální odpor kolektor/zdroj

90 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

3 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Maximální pracovní teplota

150 °C

Länge

6.7mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

29 nC při 10 V

Breite

3.7mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-65 °C

Höhe

1.7mm

Podrobnosti o výrobku

Rozšiřující režim, MOSFET P-Channel, ON on Semiconductor

Společnost ON Semiconductors řady P-Channel MOSFETS vyrábí s využitím technologie DMOS (polovlastní technologie), s vysokou hustotou buněk. Tento proces s velmi vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu a poskytoval robustní a spolehlivý výkon pro rychlé přepínání.

Charakteristiky a výhody:

• Malý signální spínač s kanálem P ovládaný napětím
• TCS s vysokou hustotou
• Vysoký sytost proudu
• vynikající přepínání
• Velmi odolný a spolehlivý výkon
• Technologie DMOS

Aplikace:

• Přepínání zatížení
• DC/DC převodník
• Ochrana baterií
• Ovládání řízení spotřeby
• Ovládání motoru stejnosměrným proudem

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more