Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorMaximální stejnosměrný proud kolektoru
80 A
Kollektor-Emitter-
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
260 W
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
16.26 x 5.3 x 21.08mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorMaximální stejnosměrný proud kolektoru
80 A
Kollektor-Emitter-
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
260 W
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
16.26 x 5.3 x 21.08mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C