Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorDauer-Kollektorstrom max.
88 A (pulzní)
Kollektor-Emitter-
600 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
54 W
Gehäusegröße
TO-3PF
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
15.5 x 5.5 x 26.5mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Izolované bipolární tranzistory hradla (IGBT) pro pohon motoru a další aplikace s vysokoproudovým spínáním.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorDauer-Kollektorstrom max.
88 A (pulzní)
Kollektor-Emitter-
600 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
54 W
Gehäusegröße
TO-3PF
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
15.5 x 5.5 x 26.5mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Izolované bipolární tranzistory hradla (IGBT) pro pohon motoru a další aplikace s vysokoproudovým spínáním.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.