Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorDauer-Kollektorstrom max.
30 A
Kollektor-Emitter-
600 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
117 W
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
10.28 x 4.82 x 15.75mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorDauer-Kollektorstrom max.
30 A
Kollektor-Emitter-
600 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
117 W
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
10.28 x 4.82 x 15.75mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C