Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
150 mA
Kollektor-Emitter-
12 V
Gehäusegröße
CPH
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
800 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
20 V
Maximální bázové napětí emitoru
2 V
Maximální provozní frekvence
7 GHz
Pinanzahl
6
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Krajina pôvodu
China
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
150 mA
Kollektor-Emitter-
12 V
Gehäusegröße
CPH
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
800 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
20 V
Maximální bázové napětí emitoru
2 V
Maximální provozní frekvence
7 GHz
Pinanzahl
6
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Krajina pôvodu
China