Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
TSOP-1
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
35 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
12 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Breite
1.7mm
Počet prvků na čip
1
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 30 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
TSOP-1
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
35 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
12 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Breite
1.7mm
Počet prvků na čip
1
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku