Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
37 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SO-8FL
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
4,8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
2.72 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
24,5 nC při 4,5 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
5.1mm
Breite
6.1mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.1mm
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
37 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SO-8FL
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
4,8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
2.72 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
24,5 nC při 4,5 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
5.1mm
Breite
6.1mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.1mm