DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

MOSFET NTMFS6H800NT1G N-kanálový 203 A 80 V, DFN, počet kolíků: 5 Jednoduchý

Skladové číslo RS: 172-8781Značka: onsemiČíslo dielu výrobcu: NTMFS6H800NT1G
brand-logo
View all in MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

203 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

80 V

Gehäusegröße

DFN

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

5

Maximální odpor kolektor/zdroj

3,5 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

200 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

±20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

85 nC při 10 V

Breite

5.1mm

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

175 °C

Länge

6.1mm

Höhe

1.1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.2V

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 2,621

Each (On a Reel of 1500) (bez DPH)

MOSFET NTMFS6H800NT1G N-kanálový 203 A 80 V, DFN, počet kolíků: 5 Jednoduchý

€ 2,621

Each (On a Reel of 1500) (bez DPH)

MOSFET NTMFS6H800NT1G N-kanálový 203 A 80 V, DFN, počet kolíků: 5 Jednoduchý
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

203 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

80 V

Gehäusegröße

DFN

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

5

Maximální odpor kolektor/zdroj

3,5 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

200 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

±20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

85 nC při 10 V

Breite

5.1mm

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

175 °C

Länge

6.1mm

Höhe

1.1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.2V