Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
203 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
80 V
Gehäusegröße
DFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
5
Maximální odpor kolektor/zdroj
3,5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
200 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
6.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
85 nC při 10 V
Breite
5.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
1.1mm
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 5,34
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 5,34
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
5 - 5 | € 5,34 | € 26,70 |
10 - 95 | € 4,55 | € 22,75 |
100 - 245 | € 3,64 | € 18,20 |
250 - 495 | € 3,42 | € 17,10 |
500+ | € 3,23 | € 16,15 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
203 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
80 V
Gehäusegröße
DFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
5
Maximální odpor kolektor/zdroj
3,5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
200 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
6.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
85 nC při 10 V
Breite
5.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
1.1mm