MOSFET NTZD5110NG N-kanálový 310 mA 60 V, SOT-563, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
310 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-563
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
280 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-6 V, +6 V
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
1.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,7 nC při 4,5 V
Breite
1.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.6mm
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Duální MOSFET N-Channel, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
4000
P.O.A.
4000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
310 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-563
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
280 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-6 V, +6 V
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
1.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,7 nC při 4,5 V
Breite
1.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.6mm
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Duální MOSFET N-Channel, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products