DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

MOSFET NVMFD5853NLG N-kanálový 34 A 40 V, DFN, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si

Skladové číslo RS: 163-0303Značka: ON SemiconductorČíslo dielu výrobcu: NVMFD5853NLT1G
brand-logo
View all in MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

34 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

40 V

Gehäusegröße

DFN

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

15 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.4V

Maximální ztrátový výkon

24 W

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Maximální pracovní teplota

175 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

6.1mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

23 nC při 10 V

Breite

5.1mm

Počet prvků na čip

2

Höhe

1.05mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

Malaysia

Podrobnosti o výrobku

Duální MOSFET N-Channel, ON on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

MOSFET NVMFD5853NLG N-kanálový 34 A 40 V, DFN, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si

P.O.A.

MOSFET NVMFD5853NLG N-kanálový 34 A 40 V, DFN, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

34 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

40 V

Gehäusegröße

DFN

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

15 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.4V

Maximální ztrátový výkon

24 W

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Maximální pracovní teplota

175 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

6.1mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

23 nC při 10 V

Breite

5.1mm

Počet prvků na čip

2

Höhe

1.05mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

Malaysia

Podrobnosti o výrobku

Duální MOSFET N-Channel, ON on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more