MOSFET SMP3003-DL-1E P-kanálový 100 A 75 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Name: MOSFET SMP3003-DL-1E P-kanálový 100 A 75 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Brand: ON Semiconductor
SKU: 8054389

Skladové číslo RS: 805-4389Značka: ON SemiconductorČíslo dielu výrobcu: SMP3003-DL-1E

Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

ON Semiconductor

Typ kanálu

Maximální stejnosměrný odběrový proud

100 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

75 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

Maximální odpor kolektor/zdroj

11 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.6V

Maximální ztrátový výkon

90 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

10mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

280 nC při 10 V

Breite

9.2mm

Materiál tranzistoru

Höhe

4.5mm

Podrobnosti o výrobku

Napájecí MOSFET s kanálem P, 30 V až 500 V, on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

Each (In a Pack of 2) (bez DPH)

MOSFET SMP3003-DL-1E P-kanálový 100 A 75 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Vyberte typ balenia

Štandardný

P.O.A.

Each (In a Pack of 2) (bez DPH)

MOSFET SMP3003-DL-1E P-kanálový 100 A 75 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Štandardný

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
View and contribute website content and forums
Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products

Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

ON Semiconductor

Typ kanálu

Maximální stejnosměrný odběrový proud

100 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

75 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

Maximální odpor kolektor/zdroj

11 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.6V

Maximální ztrátový výkon

90 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

10mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

280 nC při 10 V

Breite

9.2mm

Materiál tranzistoru

Höhe

4.5mm

Podrobnosti o výrobku