Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTransistor-Typ
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
6 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
65 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-100 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Maximální provozní frekvence
3 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
10.67 x 4.83 x 16.51mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTransistor-Typ
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
6 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
65 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-100 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Maximální provozní frekvence
3 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
10.67 x 4.83 x 16.51mm
Maximální pracovní teplota
150 °C