Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-200 mA
Kollektor-Emitter-
-40 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-40 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory PNP s malým signálem, 40 až 50 V Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,05
Each (In a Bag of 1000) (bez DPH)
1000
€ 0,05
Each (In a Bag of 1000) (bez DPH)
1000
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Sáčok |
---|---|---|
1000 - 2000 | € 0,05 | € 50,00 |
3000+ | € 0,05 | € 50,00 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-200 mA
Kollektor-Emitter-
-40 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-40 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory PNP s malým signálem, 40 až 50 V Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.