Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-200 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
-40 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-40 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
-0.4 V
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory PNP s malým signálem, 40 až 50 V Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,16
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 0,16
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,16 | € 1,60 |
100 - 240 | € 0,138 | € 1,38 |
250 - 490 | € 0,119 | € 1,19 |
500+ | € 0,106 | € 1,06 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-200 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
-40 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-40 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
-0.4 V
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory PNP s malým signálem, 40 až 50 V Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.