Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
600 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
140 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Minimální proudový zisk DC
50
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
160 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
300 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Abmessungen
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN s malým signálem, přes 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
€ 18,33
€ 0,092 Each (In a Pack of 200) (bez DPH)
Štandardný
200
€ 18,33
€ 0,092 Each (In a Pack of 200) (bez DPH)
Štandardný
200
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
200 - 800 | € 0,092 | € 18,33 |
1000+ | € 0,079 | € 15,80 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
600 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
140 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Minimální proudový zisk DC
50
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
160 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
300 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Abmessungen
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN s malým signálem, přes 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.