Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
600 mA
Kollektor-Emitter-
160 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
180 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN s malým signálem, přes 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 359,60
€ 0,036 Each (In a Bag of 10000) (bez DPH)
10000
€ 359,60
€ 0,036 Each (In a Bag of 10000) (bez DPH)
10000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
600 mA
Kollektor-Emitter-
160 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
180 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN s malým signálem, přes 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.