Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
4 A
Kollektor-Emitter-
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-225AA
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
100
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
4 V
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
3 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
100µA
Maximální ztrátový výkon
40 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
11.04 x 7.74 x 2.66mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
11.04mm
Höhe
2.66mm
Breite
7.74mm
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
500
P.O.A.
500
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
4 A
Kollektor-Emitter-
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-225AA
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
100
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
4 V
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
3 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
100µA
Maximální ztrátový výkon
40 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
11.04 x 7.74 x 2.66mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
11.04mm
Höhe
2.66mm
Breite
7.74mm
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.