Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
8 A
Kollektor-Emitter-
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
100
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
4.5 V
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
2 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
20µA
Maximální ztrátový výkon
75 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
15.75mm
Höhe
4.82mm
Abmessungen
15.75 x 10.28 x 4.82mm
Breite
10.28mm
Podrobnosti o výrobku
PnP Darlington Transistory, on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
8 A
Kollektor-Emitter-
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
100
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
4.5 V
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
2 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
20µA
Maximální ztrátový výkon
75 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
15.75mm
Höhe
4.82mm
Abmessungen
15.75 x 10.28 x 4.82mm
Breite
10.28mm
Podrobnosti o výrobku
PnP Darlington Transistory, on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.