Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
8 A
Kollektor-Emitter-
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
100
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
4.5 V
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
2 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
20µA
Höhe
4.82mm
Breite
10.28mm
Abmessungen
15.75 x 10.28 x 4.82mm
Maximální ztrátový výkon
75 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
15.75mm
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,78
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
5
€ 0,78
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
5
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
5 - 5 | € 0,78 | € 3,90 |
10 - 95 | € 0,64 | € 3,20 |
100 - 495 | € 0,59 | € 2,95 |
500 - 995 | € 0,57 | € 2,85 |
1000+ | € 0,56 | € 2,80 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
8 A
Kollektor-Emitter-
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
100
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
4.5 V
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
2 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
20µA
Höhe
4.82mm
Breite
10.28mm
Abmessungen
15.75 x 10.28 x 4.82mm
Maximální ztrátový výkon
75 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
15.75mm
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.