Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
7 A
Kollektor-Emitter-
30 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
40 W
Minimální proudový zisk DC
30
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
40 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
4 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
10.28 x 4.82 x 15.75mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Napájecí tranzistory NPN, on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
7 A
Kollektor-Emitter-
30 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
40 W
Minimální proudový zisk DC
30
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
40 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
4 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
10.28 x 4.82 x 15.75mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Napájecí tranzistory NPN, on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.