Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
10 A
Kollektor-Emitter-
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
4.5 V dc
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V dc
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
3 V dc
Maximální ztrátový výkon
65 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
10.28mm
Höhe
15.75mm
Breite
4.82mm
Abmessungen
10.28 x 4.82 x 15.75mm
Podrobnosti o výrobku
PnP Darlington Transistory, on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
10 A
Kollektor-Emitter-
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
4.5 V dc
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V dc
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
3 V dc
Maximální ztrátový výkon
65 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
10.28mm
Höhe
15.75mm
Breite
4.82mm
Abmessungen
10.28 x 4.82 x 15.75mm
Podrobnosti o výrobku
PnP Darlington Transistory, on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.