Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
200 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
9 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
400 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-40 V, +40 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5.2mm
Breite
4.19mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
5.33mm
Podrobnosti o výrobku
Rozšiřující režim MOSFET N-Channel, Fairchild Semiconductor
Zdokonalené režimy tranzistory FET (Field Effect Transistory) jsou vyráběny s využitím patentované technologie Fairchild s vysokou hustotou buněk DMOS. Tento proces s vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,18
Each (In a Pack of 100) (bez DPH)
Štandardný
100
€ 0,18
Each (In a Pack of 100) (bez DPH)
Štandardný
100
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
100 - 400 | € 0,18 | € 17,99 |
500 - 900 | € 0,155 | € 15,51 |
1000+ | € 0,134 | € 13,44 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
200 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
9 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
400 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-40 V, +40 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5.2mm
Breite
4.19mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
5.33mm
Podrobnosti o výrobku
Rozšiřující režim MOSFET N-Channel, Fairchild Semiconductor
Zdokonalené režimy tranzistory FET (Field Effect Transistory) jsou vyráběny s využitím patentované technologie Fairchild s vysokou hustotou buněk DMOS. Tento proces s vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.