Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
260 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,81 nC při 5 V
Breite
1.3mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Höhe
0.94mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Czech Republic
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
260 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,81 nC při 5 V
Breite
1.3mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Höhe
0.94mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Czech Republic
Podrobnosti o výrobku