Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
280 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-563
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
13,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
250 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.2mm
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
1.7mm
Höhe
0.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Rozšiřující režim Dual MOSFET Fairchild Semiconductor
Zdokonalené režimy tranzistory Field Effect jsou vyráběny pomocí patentované technologie DMOS (Fairchild's proprieed, high cell density). Tento proces s velmi vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,13
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 0,13
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
280 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-563
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
13,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
250 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.2mm
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
1.7mm
Höhe
0.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Rozšiřující režim Dual MOSFET Fairchild Semiconductor
Zdokonalené režimy tranzistory Field Effect jsou vyráběny pomocí patentované technologie DMOS (Fairchild's proprieed, high cell density). Tento proces s velmi vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.