Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
16 to 32mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
15 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-15V
Konfiguration
Single
Konfigurace tranzistoru
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
CP
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
10pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
2.9pF
Abmessungen
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Länge
2.9mm
Breite
1.5mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Höhe
1.1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
16 to 32mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
15 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-15V
Konfiguration
Single
Konfigurace tranzistoru
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
CP
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
10pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
2.9pF
Abmessungen
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Länge
2.9mm
Breite
1.5mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Höhe
1.1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.