Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
10 to 20mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
15 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-15V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
CP
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
10pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
2.9pF
Abmessungen
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Länge
2.9mm
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Breite
1.5mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,299
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
€ 0,299
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
100 - 225 | € 0,299 | € 7,47 |
250 - 475 | € 0,259 | € 6,47 |
500 - 975 | € 0,228 | € 5,70 |
1000+ | € 0,208 | € 5,19 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
10 to 20mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
15 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-15V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
CP
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
10pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
2.9pF
Abmessungen
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Länge
2.9mm
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Breite
1.5mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.