JFET 2SK3557-6-TB-E N-kanálový 15 V, CP, počet kolíků: 3 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
10 to 20mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
15 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-15V
Konfiguration
Single
Konfigurace tranzistoru
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
CP
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
10pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
2.9pF
Abmessungen
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Breite
1.5mm
Länge
2.9mm
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,34
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
25
€ 0,34
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
25
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 25 - 100 | € 0,34 | € 8,50 |
| 125 - 225 | € 0,31 | € 7,75 |
| 250 - 600 | € 0,27 | € 6,75 |
| 625 - 1225 | € 0,23 | € 5,75 |
| 1250+ | € 0,18 | € 4,50 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
10 to 20mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
15 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-15V
Konfiguration
Single
Konfigurace tranzistoru
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
CP
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
10pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
2.9pF
Abmessungen
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Breite
1.5mm
Länge
2.9mm
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products