Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1500 V
Gehäusegröße
TO-3PN
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
13 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Maximální ztrátový výkon
50 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-35 V, +35 V
Breite
5.5mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
15.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
37,5 nC při 10 V
Höhe
24.5mm
Krajina pôvodu
Korea, Republic Of
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 100 V až 700 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
30
P.O.A.
30
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1500 V
Gehäusegröße
TO-3PN
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
13 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Maximální ztrátový výkon
50 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-35 V, +35 V
Breite
5.5mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
15.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
37,5 nC při 10 V
Höhe
24.5mm
Krajina pôvodu
Korea, Republic Of
Podrobnosti o výrobku