Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
320 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.3V
Maximální ztrátový výkon
420 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,7 nC při 4,5 V
Höhe
1.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET s diodou Schottky, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,06
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
200
€ 0,06
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
200
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
200 - 800 | € 0,06 | € 12,00 |
1000 - 2800 | € 0,04 | € 8,00 |
3000 - 8800 | € 0,03 | € 6,00 |
9000 - 44800 | € 0,03 | € 6,00 |
45000+ | € 0,06 | € 12,00 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
320 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.3V
Maximální ztrátový výkon
420 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,7 nC při 4,5 V
Höhe
1.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku