Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
800 mA
Kollektor-Emitter-
50 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
10 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
50 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Abmessungen
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN s malým signálem, 40 až 50 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,08
Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
200
€ 0,08
Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
200
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Páska |
---|---|---|
200 - 800 | € 0,08 | € 16,00 |
1000 - 1800 | € 0,08 | € 16,00 |
2000+ | € 0,07 | € 14,00 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
800 mA
Kollektor-Emitter-
50 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
10 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
50 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Abmessungen
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN s malým signálem, 40 až 50 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.