Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
100 mA
Kollektor-Emitter-
45 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Minimální proudový zisk DC
200, 420
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
50 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
300 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
5.33 x 5.2 x 4.19mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN s malým signálem, 40 až 50 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,04
Each (On a Reel of 2000) (bez DPH)
2000
€ 0,04
Each (On a Reel of 2000) (bez DPH)
2000
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
2000 - 2000 | € 0,04 | € 80,00 |
4000+ | € 0,04 | € 80,00 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
100 mA
Kollektor-Emitter-
45 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Minimální proudový zisk DC
200, 420
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
50 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
300 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
5.33 x 5.2 x 4.19mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN s malým signálem, 40 až 50 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.