Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN/PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
200 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
30 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
380 mW
Minimální proudový zisk DC
420
Maximální bázové napětí kolektoru
30 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
6
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
2.2 x 1.35 x 1mm
Krajina pôvodu
China
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,015
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 0,015
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN/PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
200 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
30 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
380 mW
Minimální proudový zisk DC
420
Maximální bázové napětí kolektoru
30 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
6
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
2.2 x 1.35 x 1mm
Krajina pôvodu
China