Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-100 mA
Kollektor-Emitter-
-45 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
225 mW
Minimální proudový zisk DC
125
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-50 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.11mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory PNP s malým signálem, on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,008
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 0,008
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-100 mA
Kollektor-Emitter-
-45 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
225 mW
Minimální proudový zisk DC
125
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-50 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.11mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory PNP s malým signálem, on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.