Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
1.5 A
Kollektor-Emitter-
80 V
Gehäusegröße
TO-126
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
12.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Abmessungen
8.3 x 3.45 x 11.2mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN s malým signálem, 60 až 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
1.5 A
Kollektor-Emitter-
80 V
Gehäusegröße
TO-126
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
12.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Abmessungen
8.3 x 3.45 x 11.2mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN s malým signálem, 60 až 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.