Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
1.5 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
80 V
Gehäusegröße
TO-126
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
12.5 W
Minimální proudový zisk DC
63
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
8.3 x 3.45 x 11.2mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN s malým signálem, 60 až 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,527
Each (In a Tube of 60) (bez DPH)
60
€ 0,527
Each (In a Tube of 60) (bez DPH)
60
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
60 - 60 | € 0,527 | € 31,60 |
120 - 240 | € 0,495 | € 29,71 |
300+ | € 0,474 | € 28,44 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
1.5 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
80 V
Gehäusegröße
TO-126
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
12.5 W
Minimální proudový zisk DC
63
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
8.3 x 3.45 x 11.2mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN s malým signálem, 60 až 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.