Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
1.5 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
80 V
Gehäusegröße
TO-126
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
12.5 W
Minimální proudový zisk DC
100
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Počet kolíků
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
8 x 3.25 x 11mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN s malým signálem, 60 až 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
€ 10,35
€ 0,172 Each (In a Tube of 60) (bez DPH)
60
€ 10,35
€ 0,172 Each (In a Tube of 60) (bez DPH)
60
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
1.5 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
80 V
Gehäusegröße
TO-126
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
12.5 W
Minimální proudový zisk DC
100
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Počet kolíků
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
8 x 3.25 x 11mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN s malým signálem, 60 až 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.