Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-1,5 A
Kollektor-Emitter-
-80 V
Gehäusegröße
TO-126
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
12.5 W
Minimální proudový zisk DC
40
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-80 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Počet kolíků
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
8 x 3.25 x 11mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Power PNP, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 32,99
€ 0,55 Each (In a Tube of 60) (bez DPH)
60
€ 32,99
€ 0,55 Each (In a Tube of 60) (bez DPH)
60
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
60 - 60 | € 0,55 | € 32,99 |
120 - 240 | € 0,517 | € 31,01 |
300+ | € 0,495 | € 29,70 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-1,5 A
Kollektor-Emitter-
-80 V
Gehäusegröße
TO-126
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
12.5 W
Minimální proudový zisk DC
40
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-80 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Počet kolíků
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
8 x 3.25 x 11mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Power PNP, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.