Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
2 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
115 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
30 W
Minimální proudový zisk DC
40
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Abmessungen
9.9 x 4.5 x 15.7mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
€ 22,52
€ 0,901 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
25
€ 22,52
€ 0,901 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
2 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
115 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
30 W
Minimální proudový zisk DC
40
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Abmessungen
9.9 x 4.5 x 15.7mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.