Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
2 A
Kollektor-Emitter-
115 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
30 W
Minimální proudový zisk DC
40
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Abmessungen
9.9 x 4.5 x 15.7mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,89
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 0,89
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
50 - 50 | € 0,89 | € 44,50 |
100 - 200 | € 0,83 | € 41,50 |
250+ | € 0,80 | € 40,00 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
2 A
Kollektor-Emitter-
115 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
30 W
Minimální proudový zisk DC
40
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Abmessungen
9.9 x 4.5 x 15.7mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.