Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
10 A
Kollektor-Emitter-
100 V
Gehäusegröße
TO-218
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
125 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
5 V dc
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Abmessungen
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Krajina pôvodu
China
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
30
P.O.A.
30
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
10 A
Kollektor-Emitter-
100 V
Gehäusegröße
TO-218
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
125 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
5 V dc
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Abmessungen
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Krajina pôvodu
China