Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
-12 A
Kollektor-Emitter-
100 V
Gehäusegröße
TO-220F
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
100
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
-2.5 V
Maximální bázové napětí kolektoru
-100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
-2 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
-100 μA, -1 mA
Höhe
15.95mm
Breite
4.5mm
Maximální ztrátový výkon
80 W
Abmessungen
9.9 x 4.5 x 15.95mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
9.9mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Darlington PNP, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
-12 A
Kollektor-Emitter-
100 V
Gehäusegröße
TO-220F
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
100
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
-2.5 V
Maximální bázové napětí kolektoru
-100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
-2 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
-100 μA, -1 mA
Höhe
15.95mm
Breite
4.5mm
Maximální ztrátový výkon
80 W
Abmessungen
9.9 x 4.5 x 15.95mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
9.9mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Darlington PNP, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.